Terminologie des Lötens

Als Epitaxie bezeichnet man das Aufwachsen eines Kristalles auf der Oberfläche eines zweiten Kristalles von anderer chemischer Beschaffenheit, wobei das Kristallwachstum einer fest bestimmten Orientierung folgt. Ein solches Wachstum lässt sich durch Ausfällen aus einer Lösung, galvanische Beschichtung, Oberflächenoxidation, Gasphasenabscheidung oder Vakuumaufdampfen hervorrufen.

Diese Form des Kristallwachstums tritt besonders bei Substanzen auf, deren Gitterstruktur und Gitterabstände dem Substratmetall ähnlich sind. Da die von den Atomen des Substrats ausgehenden Kräfte höchstens über den Abstand einiger Atome hinweg wirken, besetzen die Atome des aufwachsenden Kristalls unter dem Einfluss dieser Kräfte zunächst die Lücken mit dem tiefsten Potential, von wo aus der Kristall weiter wächst. Bei der Zinn-Blei-Beschichtung ist es möglich, zuerst das metallische Substrat durch Reaktion mit einem halogenen Flussmittel thermisch zu zersetzen und anschließend durch Epitaxie darauf eine Zinn-Blei-Schicht zu erzeugen.